这件事牵动的公司和市场3 家公司 · 1 个事件
R1 据报道为其生产定制 HBMR2 据报道用其工艺造裸片三星电子找台积电代工10/18三星电子005930台积电TSM英伟达NVDA
图例事件上市公司钱的流向零件（不是付款）参与事件
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2026-10-18 · 已交叉核对 1 个来源

据报道，内存厂三星电子将请代工厂台积电为英伟达定制内存造底层芯片

据韩国《首尔经济日报》，三星电子（三星电子，内存芯片厂）将用台积电（台积电，芯片代工厂）的 3 纳米工艺（线宽极细的先进制程），为英伟达（英伟达，AI 芯片公司）下一代定制 HBM（多层叠起来的高带宽内存）生产基础裸片（叠在最底层、负责控制的芯片）1。

发生了什么

据路透转述《首尔经济日报》援引业内人士，英伟达要求三星电子、SK 海力士（SK Hynix，内存厂）和美光（Micron，内存厂）在 NVHBM 定制内存里用台积电的工艺做基础裸片1。三星电子经内部评估后已接受这一要求1。报道称这将是三星电子第一次在 HBM 制造环节与台积电合作，消息来自报纸，并非公司公告1。

这件事里没公开的：
  • 三星电子付给台积电的金额和代工数量
  • 英伟达向三星电子采购 NVHBM 的价格和数量
  • 量产开始时间

这件事里的技术

它是什么

英伟达 8 月公布的 NVHBM 把它自己的定制内存控制器（管理内存读写的电路）放进基础裸片，目的是让几家内存供应商的做法统一1。

几家的关系

据报道，英伟达还要求上面叠的存储芯片用第六代 DRAM（电脑常用的内存芯片）技术1。

谁在付钱

英伟达AI 芯片公司，定规格
据报道为其生产定制 HBM
零件，不是付款2
三星电子韩国内存芯片厂
据报道用其工艺造裸片
零件，不是付款2
台积电芯片代工厂
R1
“Samsung Electronics will use TSMC's 3-nanometre process to produce base dies for Nvidia's next-generation custom high-bandwidth memory (HBM) chips, the Seoul Economic Daily reported on Sunday.”2

这一跳是零件供应，不是付款：据报道，三星电子为英伟达下一代定制 HBM 生产基础裸片；来源未写价格或订单

R2
“Samsung Electronics will use TSMC's 3-nanometre process to produce base dies for Nvidia's next-generation custom high-bandwidth memory (HBM) chips, the Seoul Economic Daily reported on Sunday.”2

这一跳是零件供应，不是付款：据《首尔经济日报》，三星电子将用台积电工艺造基础裸片；来源未写付款

涉及的公司

来源

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